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第二新卒歓迎ー半導体メモリ FABエンジニア

Hiroshima, 34, JP

ジョブナンバー  195906 

現在、マイクロンメモリジャパンでは、半導体メモリ(DRAMと呼ばれるメモリ)の開発・生産を行っている広島工場にて、メモリ生産に携わるエンジニアを募集しております。

 

主な業務内容:

半導体メモリの生産プロセスの生産性・コスト・品質などの改善業務

半導体メモリ製造装置の改善

台湾の生産工場への技術移管業務など

 

求めるスキル・経験など:

4年制大学または高等専門学校にて、電気・機械・化学・物理・工学などを専攻し、卒業された方。

半年~2年の社会人経験がある方。

英語を学ぶこと、英語での会話に挑戦することに抵抗がない方

 

勤務地:広島県東広島市

 

勤務時間:8時30分~17時15分(休憩:60分)

 

想定基本年収:370万円~400万円+会社業績ボーナス

 

広島県外から引越しが必要な方には、引越しサポートあり

 

 

 

 

 

すべての候補者は、人種、肌の色、宗教、性別、性的指向、性同一性、国籍、軍歴または障害の有無に関係なく、雇用について検討されます。

米国のサイトのみ:応募手続きの支援または、合理的な調整を希望する場合には、マイクロンのHR 1-800-336-8918(または208-368-4748)までご連絡いただくか、求人情報請求フォームをご提出ください。提出先: General Contact Form


キーワード Hiroshima || Hiroshima (JP-34) || 日本 (JP) || Frontend Manufacturing || エントリーレベル(未経験) || 正社員 || エンジニアリング || Not Applicable ||Tier 3 || 

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