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NAND Device Engineer (Japanese JD)

日付: 2017/10/10

場所: Kamata, 13, JP

会社: Micron

ジョブナンバー  84819 

Job Description

  • 次世代NANDフラッシュメモリーのデバイス開発を、国内及び海外のエンジニアと共同して行う。

 

Responsibilities

  • 製品及びTEGによる、フラッシュメモリの電気的特性評価と解析
  • TCADシミュレーションによるメモリ構造及びプロセスの最適化
  • 製造プロセスや動作条件の改善提案、など

 

Requirements

(必須項目)

  • 半導体デバイス、フラッシュメモリー動作、プロセスインテグレーションの基礎的な知識
  • ①製品評価・電気的解析、②TEG評価・解析、③TCADシミュレーションによる特性解析・デバイス最適化のいずれかの経験5年以上
  • チームワークとコミュニケーション能力

 

(望ましい項目)

  • 基礎的な英語力
  • NANDフラッシュメモリーに関する深い知識と経験

 

Qualifications

(必須項目)

  • 学士以上
  • 英語でのメールのやり取り、技術文書作成、基本的な受け答えができること

 

(望ましい項目)

  • 年に数回程度の海外出張が可能であること

 

Location: Tokyo


当社は従業員の求人、採用、教育、昇進、懲罰、雇用の他の条件の提供を行う際に、個人の人種、肌の色、宗教、性別、年齢、国籍、身体障害、性的指向、性自認、性表現、妊娠、軍歴、または法的に保護されているその他の分類要素を考慮しません。これには、チームメンバーの身体障害または信仰および慣習に関する相応の便宜も含まれます。

各マネージャー、スーパーバイザー、チームメンバーには、この方針を実行する責任があります。人事部のEEO管理者がこの方針の管理を担当します。EEO管理者は方針の順守状態を監視します。また、EEOに関する質問に答えることができます。

応募処理の支援を求めるには、マイクロンの人事部1-800-336-8918(または208-368-4748)までお問い合わせください。

キーワード Kamata || Tokyo (JP-13) || Japan (JP) || Technology Development || 経験者 || 正社員 || エンジニアリング || Not Applicable ||


業界: Engineer, Engineering